近年、欧州を中心として洋上風力発電の導入が急伸し、自励式のHVDC向けマルチレベル変換器の世界市場規模が拡大している。このような背景のもと、当社ではMMC型のHVDC向けマルチレベル変換器について研究開発を進めてきた。 本稿では、HVDC向けMMC変換器にフルSiC（SiC-MOSFET+SiC-SBD）を適用した場合の半導体損失について検討した結果を報告する。検討対象としたフルSiC素子は3.3kV/1.5kA定格品であり、半導体損失はデータシート記載のIV特性、スイッチング損失特性から求めた。