MRI用マグネットでは高解像度な画像を得るために，時間的高安定磁場の生成が要求される。しかし，高温超電導マグネットを適用すると遮蔽電流による磁場が変動してしまうため，遮蔽電流磁場の変動抑制が重要である。そこで本研究は，変動抑制手法であるオーバーシュート法に着目し，ReBCOコイルにおける遮蔽電流磁場と磁場変動率の関係について検討した。運転電流とオーバーシュート量をそれぞれ変化させ，遮蔽電流磁場と磁場変動率の関係を求めた。遮蔽電流磁場が磁場変動に関与しているため，その磁場がゼロのときに磁場変動がなくなると考えていたが，実験より遮蔽電流磁場が存在しているときに最も磁場変動率が小さくなることを確認した。