近年，超伝導バルク体の大型・高特性に伴い，パルス磁化法で大きな磁場をさせることが難しくなりつつある。そこで，試料の一部に意図的に欠陥を導入したバルク体を考案した。これまでは特性の低い結晶成長領域（Growth Sector Region; GSR）に細孔を加工してきたが，本文では特性の高い結晶成長境界（Growth Sector Boundary; GSB）に加工し，磁場侵入時の磁気シールドを低減させて，磁場を侵入し易くすることを試みた。