筆者らはパワー半導体を用いた低圧直流用遮断器を提案し，Si-IGBT 素子を用いたモデル器を試作してその特性評価を行ってきた。本報では，Si-IGBT の代わりにSiC-MOSFETを用いたモデル遮断器において突入電流通電実験を実施した。 平常時，モデル器は素子のゲート・ソース間電圧を15Vに保つ。電流遮断時にはゲート・ソース間電圧を時定数5msで低下させることで，ドレイン・ソース間の抵抗は時間とともに上昇し，電流を限流遮断する。実験では，抵抗器，コイルおよび投入器を介し，モデル器を120Vの直流電源に接続した。 コイルのインダクタンスを0.17〜4.2mHに設定し，モデル器に様々なピーク値の突入電流の遮断責務を課した。同実験から，モデル器の遮断限界およびモデル器が電流を14ms以内に遮断達成できることを明らかにした。