筆者らはパワー半導体としてIGBTを用いた低圧直流遮断器を提案し，モデル器を試作して特性評価を行ってきた。本報告では，直流供給回路において，様々な回路インダクタンスの下，モデル器にDC80〜300 Aの突入電流の遮断責務を課すことで遮断限界を調べた。そして，その要因について考察を行った。