サブストレートヒューズとはセラミック基板上にヒューズエレメントを形成したものである。このヒューズにおいて，遮断部を並列に分割し，並列遮断点数を増やすことによって，遮断特性が向上することが確認されている。この並列遮断点数の増加による遮断特性の向上効果をP効果と呼ぶ。また，精密電鋳技術を応用し，微細な遮断部が形成された微細加工ヒューズエレメントを製作し，その遮断特性を調査したところ，P効果には限界があることが確認できた。本論文では，遮断部をエレメントの中心方向に寄せ，隣り合う遮断部の間隔を変化させることで，P効果の要因を追求した。P効果は，発孤時の隣接するアークにより影響されることが示唆された。