電界および温度の広範囲の直流絶縁評価のための新たな電流積分電荷量Q(t)の測定法(HV-DCIC)を提案するものである。HV-DCICは高電圧側-直流電流積分電荷法(High Voltage side DC Integration Charges)のことである。HV-DCIC法の測定対象は、絶縁材料中に電極電荷注入および内部電荷発生を評価するものである。絶縁材料中に電荷が蓄積されると、その近傍(15Å以内)では500kV/mmから5000kV/mmの超高電界が存在する。その結果、分子切断も起こり得ることが推定されている。この分子切断は絶縁劣化や絶縁破壊の種になり得る。このような劣化モデルに基づいて、HV-DCIC法により電荷注入および電荷発生を評価するものである。