スタンダードセルを用いて論理合成と自動配置配線により設計するメモリをスタンダードセルメモリ(SCM)と呼ぶ.ビットセルにDラッチやDフリップフロップが用いられ,周辺回路はランダムロジックにより実装される.本発表ではメタルフリンジキャパシタの一種であるFiCC(Fishbone-in-Cage Capacitor)を用いたNV(Nonvolatile)-SCMのレイアウト設計と実測について述べる.180nmプロセスを用いて,4bitと16word-8bitのNV-SCMのレイアウト設計を行った.ビットセルの不揮発化による面積オーバーヘッドは75%となった.実測により,動作周波数10MHzにおけるNV-SCMの動作を確認した.データ保持時間は不揮発メモリへの書き込み時間を0.5秒とした場合,約60分となった.