トランジスタと基板の間に絶縁層を挿入したFDSOI構造をもつMOSFETは、基板電位の変化によって基板バイアスが発生する。このとき、MOSFETのしきい値電圧も変化するので、高速動作や低消費電力での動作が可能である。基板バイアスが電圧や温度などのストレスによってMOSFETが劣化するBTIと呼ばれる経年劣化現象に与える影響は不明である。基板バイアスが発生した状態でリングオシレータに電圧と温度によるストレスを与え、その発振周波数の変化により劣化特性を評価した。PMOSにリバースバイアスを1.0V加えた場合の劣化量は、電源電圧を1.0V上げた場合の2倍となった。