IoTデバイスに用いるマイクロコントローラやシステムオンチップなどの低消費電力ロジックシステムでは，SRAMの低消費電力化が重要な課題となる．特に，速度性能より電力性能が重要となることから，ニアスレッショルド電圧動作は有効となるが，このような低電圧動作では全電力に対する待機時電力の割合が増加することから，低電圧CMOSにおいてもパワーゲーティング(PG)は重要になると考えられる．そこで我々は極めて微小な電圧でデータを保持することで高効率なPGを実現できる超低電圧リテンションSRAM(ULVR-SRAM)を提案してきた．本発表では低電圧動作ULVR-SRAMセルの設計方法とその性能について示す．