現在、IoTが急速に進展する中で、電子機器の需要は増加しその信頼性の要求レベルが高まっている。電子回路の信頼性の問題は主にPVT（プロセス・電源電圧・温度）ばらつきによって生じる。
本稿では、PVTばらつきにおける温度に焦点をあて、筆者らが提案した温度不感のMOS基準電流源回路の動作をシミュレーション検証した。この提案回路は自己バイアス回路を用い、瞬間的な電源電圧の変動に強い特長がある。