電源回路の電力密度の向上のために、10MHz以上の高速スイッチングが可能なGaN FETとそのゲートドライブ回路が注目されている。本研究では24V入力15MHzで動作するGaN FETゲートドライバを設計した。ゲートループインダクタンスによるゲート電圧のリンギングの抑制と高速なスイッチングを両立させるため、ゲート信号が遷移するときのみゲート抵抗値を低減するアクティブゲートドライビング技術を提案する。0.25um HV BCDプロセスを用いたチップ試作では、重負荷1.5A時でもリンギングのスパイク電圧は5.7V未満に抑えることができた。また、15MHz動作時の最高効率は5V/1.5A出力時に81.1%であった。