集積回路の配線加工工程での問題としてアンテナダメージ，連続使用での問題として経年劣化がある．回路設計者はこれらによるMOSFETのしきい値変動量を把握し，設計する必要がある．アンテナダメージ及び経年劣化を評価するため，アンテナ比と配線層を変えた電流スターブ型リングオシレータの発振周波数変動量を測定する．65nmプロセスで試作して測定した結果，経年劣化によるMOSFETのしきい値変動量はアンテナ比，配線層の違いに影響されない．アンテナダメージに関してはアンテナ比による影響はないが，配線層による影響はある．NMOS，PMOSでダメージを受けない場合と比べて，それぞれ最大10.2%，11.4%のしきい値変動が生じる．