電子機器に意図的な故障を注入することで機器内の秘密情報が取得さらる危険性が知られており、セキュアなシステム構築にはこのような攻撃に対する耐タンパー性が求められる。 本発表では、レーザーを電子機器内のフラッシュメモリに照射した際の故障注入について報告する。多くの組み込み機器においてフラッシュメモリはプログラムの格納に利用されており、フラッシュメモリへのレーザー照射によりプログラムコードの改ざんが可能であることを示す。