FDSOIとbulk構造のソフトエラー耐性を比較するために、
デバイスシミュレーションモデルを回路シミュレーションモデルの静特性に
近づくように合わせこみを行った。
パラメータを最適化した結果、両モデルの静特性の差のRMSPEが11%以下となった。
このモデルを用いてインバータとトライステートインバータからなる
ラッチ回路をTCADを用いて作成した。
重イオン照射シミュレーションによりソフトエラー耐性の評価を行った結果、
FDSOIの臨界LETはbulk構造の10倍以上となった。