NAND型フラッシュメモリでは、読み出しがあまり行われないデータの場合、データ保持時間が長くなるほどエラーが多く発生し、誤り訂正符号(ECC)によるエラー訂正が失敗するとデータは永久に失われてしまう。提案する自動データ修復パルスでは、ECCによるエラー訂正が失敗した際に、エラーを含んだデータを上書きすることで電荷捕獲内に電子を注入し、データを復活させることができる。さらにエラー訂正後のデータを上書きすることで、電荷損失が多いメモリセルには自動的に多くの電子が注入され、エラー率を低減することができる。その結果、エラーを89.6%削減し、データ保持寿命を38.3倍に引き延ばすことが可能となった。