IoTエッジデバイスの高エネルギー効率化には、集積デバイスの観点からは、高い電流オンオフ比を有するトランジスタ技術とノーマリーオフコンピューティングを可能にする不揮発性メモリ技術が重要である。本発表ではCMOSプロセスと整合性の高い新機能性材料である強誘電体HfO2を用いたトランジスタ・メモリ技術の最近の成果を報告する。具体的には急峻なサブスレショルド係数を有する強誘電体ゲート絶縁膜トランジスタ技術、柔軟な電源管理を可能にする不揮発性SRAM技術、そして大容量ストレージクラスメモリまたはハードウェアAI実装をねらった強誘電体トンネル接合メモリ、について報告する。