民生用の電源等の回路に多く用いられている集積型中高耐圧（30～50V）LDMOS（Lateral Double-diffused MOSFET）を車載用に展開する場合、より一層高い信頼性と広い SOA（Safe Operating Area）が要求される。従来型LDMOSでは、ドレイン側ゲート周りでのインパクト・イオン化による電子正孔対の発生などにより、信頼性が低下することが知られている。この問題を解決するために、2段階のp-埋め込み層がドリフト層を囲む新構造LDMOSを提案する。今回、アドバンスソフト株式会社製半導体デバイス3次元TCADシステムAdvance/TCADを使用して新構造LDMOSのシミュレーションを用い、その特性について従来型構造と比較検討した。