フラッシュメモリは浮遊ゲート型トランジスタを直列に接続した非常にシンプルなメモリ素子である。フラッシュメモリは、シンプルが故、全ての半導体メモリ中、最初に、平面での縮小化による高密度化の技術限界を迎えた。三次元フラッシュメモリは、多数のMONOS型トランジスタを積層することで、従来のフラッシュメモリの技術限界を打破し、記憶密度の更なる高密度化を継続した。現在、わずか1cm2サイズの単一チップに256ギガバイトのデジタルデータを蓄積できるレベルの超高記憶密度が実現された。近年、フラッシュメモリに続き、DRAMやロジック回路においても三次元化の検討が活発である。本講演では、三次元フラッシュメモリの高積層化の技術課題とその対策について紹介する。また、これまで、スケーリング則を背景にムーアの法則は推進されてきた。一方、高積層化による記憶密度の高密度化ではスケーリング則が成り立たず、新たな技術課題が発生している。本講演では、三次元フラッシュメモリの高積層化に起因した課題と対策について紹介する。